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发生栅极反弹时的电流导向
发布时间:2019-06-30        浏览次数:14        返回列表
技术人员指出,具有测量到80VVds尖峰的应用通常需要具有至少100V击穿电压的MOSFET。良好的PCB布局可以降低寄生电感L,而且,选择低Qrr的MOSFET也有助于降低di/dt。如果尖峰被忽略,那么这可能导致需要更高电压的MOSFET。下面具体来介绍一下。
当Vds尖峰发生时,设计人员还应该在他们的应用中寻找栅极反弹。由于MOSFET的所有三个端子之间存在电容,因此漏极引脚上的任何尖峰也将电容耦合至MOSFET的栅极引脚。在极端情况下,如果栅极反弹超过MOSFET的阈值电压,则MOSFET可以导通。
死区时间通常用于栅极驱动电路,以确保高边和低边MOSFET不能同时导通。但是,当发生栅极反弹时,低边MOSFET与高边同时导通,导致直通电流在电源轨之间流动,从而导致I2R损耗过大,并且在极端情况下造成MOSFET的破坏。

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